企业简介
我公司是一家中外合资高科技企业。公司成立于2006年2月份，注册资金6500万元，总投资将超3亿元。 公司坐落于厦门留学人员创业园创业大厦，生产车间位于由国务院批准建立的厦门市翔安火炬高科技园区，拥有从美国、德国、日本、韩国等引进的当今世界上的外延和芯片生产设备，并汇聚了一批由美国、台湾和国内专家组成的具有丰富产业化经验的技术团队。 投资超3亿元的扬州分公司于2010年1月投产。 公司主营业务范围由两大系列构成：一是LED系列，主要是高品质的超高亮度四元系红、橙、黄LED外延片、芯片；二是新能源材料，主要是高效砷化镓太阳能电池。
厦门乾照光电股份有限公司的工商信息
- 350298200003193
- 91350200784153733J
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
- 2006年02月21日
- 金张育
- 71640.331100
- 2006年02月21日 至 永久
- 厦门市市场监督管理局
- 2018年04月27日
- 厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
- 光电子器件及其他电子器件制造；集成电路制造；半导体分立器件制造；电子元件及组件制造；照明灯具制造；电光源制造；灯用电器附件及其他照明器具制造；光伏设备及元器件制造；工程和技术研究和试验发展；其他电子产品零售；信息技术咨询服务；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；自有房地产经营活动。
厦门乾照光电股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 12506865 |  |
乾照 | 2013-04-28 | 半导体;半导体器件;晶片;外延片;光电管;发光二极管芯片;探测器;太阳电池芯片;激光器外芯片;数码管;探测器外芯片;太阳能电池;LED显示屏;非医用激光器;发 | 查看详情 |
| 2 | 12506864 |  |
CHANGELIGHT | 2013-04-28 | 激光器外延片；探测器外延片；探测器；非医用激光器；外延片；发光二极管表面贴装元件；半导体；半导体器件；光电管；发光二极管芯片； | 查看详情 |
| 3 | 7458477 |  |
乾照 CHANGELIGHT | 2009-06-10 | 半导体；半导体器件；晶片；外延片；光电管；发光二极管芯片；探测器；太阳电池芯片；激光器外芯片；数码管；探测器外芯片；太阳能电池；LED显示屏；非医用激光器；发光二极管；芯片；太阳能电池模组；太阳能电池发电装置；发光二极管点阵形式排布的半导体器件；发光二极管封装的柔性半导体器件；发光二极管外延片；激光器外延片；探测器外延片；发光二极管表面贴装元件；LED背光源 | 查看详情 |
| 4 | 7458475 |  |
乾照 CHANGELIGHT | 2009-06-10 | 车辆用灯 | 查看详情 |
| 5 | 7458476 |  |
图形 | 2009-06-10 | 探测器；太阳电池芯片；激光器外芯片；探测器外芯片；太阳能电池；LED显示屏；非医用激光器；芯片；太阳能电池模组；太阳能电池发电装置 | 查看详情 |
厦门乾照光电股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103715326B | 近红外发光二极管及其制造方法 | 2016.10.26 | 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、 |
| 2 | CN106129219A | 一种增强光取出效率的LED芯片结构 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射 |
| 3 | CN106025027A | 一种LED芯片结构及其制造方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明 |
| 4 | CN205645860U | 一种提高电流扩散的LED芯片 | 2016.10.12 | 一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透 |
| 5 | CN205645859U | 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管 | 2016.10.12 | 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，包括依次设置的衬底一侧的N‑G |
| 6 | CN105720153A | 一种提高背光源亮度的衬底 | 2016.06.29 | 本发明公开一种提高背光源亮度的衬底，在衬底表面设置多个凸起的立体图案，在多个凸起的立体图案之间的衬底 |
| 7 | CN105679906A | 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺 | 2016.06.15 | 一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管及其加工工艺，涉及发光二极管的生产制造技术领域。本发明通过在I |
| 8 | CN205428987U | 一种增加发光面积LED芯片结构 | 2016.08.03 | 本实用新型公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次 |
| 9 | CN105762241A | 一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法 | 2016.07.13 | 本发明公开一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，一，在衬底表面生长至少一层U/N‑GaN单晶 |
| 10 | CN105789421A | 一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法 | 2016.07.20 | 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法，在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一 |
| 11 | CN106025026A | 一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作方法 | 2016.10.12 | 本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺 |
| 12 | CN106025010A | 一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法 | 2016.10.12 | 本发明公开一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、 |
| 13 | CN106206893A | 一种提高ITO电流扩展的发光二极管及其制作方法 | 2016.12.07 | 本发明公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管，衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上 |
| 14 | CN205645877U | 一种氮化镓基发光二极管 | 2016.10.12 | 一种氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管技术领域。包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑ |
| 15 | CN105762264A | 一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管 | 2016.07.13 | 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第 |
| 16 | CN205645852U | 一种正装LED发光二极管 | 2016.10.12 | 一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN |
| 17 | CN106098678A | 一种增加演色性的白光LED结构 | 2016.11.09 | 本发明公开一种增加演色性的白光LED结构，包括蓝光外延芯片、红光四元外延芯片及键合层；蓝光外延芯片与 |
| 18 | CN205406555U | 一种具有复合结构的氮化物缓冲层 | 2016.07.27 | 本实用新型公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层，在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下 |
| 19 | CN104362215B | 一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法 | 2016.10.26 | 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法，提供外延衬底；在外延衬底上生长外延结构；在外延结构上 |
| 20 | CN205303512U | 一种具有高发光效率的发光二极管 | 2016.06.08 | 一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的P |
| 21 | CN104241205B | 一种衬底可剥离的外延结构及其应用 | 2017.04.26 | 本发明公开一种衬底可剥离的外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长 |
| 22 | CN104218108B | 一种高效率柔性薄膜太阳能电池 | 2017.04.26 | 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减 |
| 23 | CN104332542B | 一种衬底可重复利用的外延结构制作方法 | 2017.04.26 | 本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲 |
| 24 | CN104201277B | 一种大功率红外发光二极管 | 2017.04.26 | 本发明公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导 |
| 25 | CN106601885A | 一种发光二极管的外延结构及其生长方法 | 2017.04.26 | 本发明公开一种发光二极管的外延结构，在衬底表面生长N型层，N型层表面形成V型缺陷坑，在形成V型缺陷坑 |
| 26 | CN104576859B | 一种发光二极管结构 | 2017.04.26 | 本发明公开一种发光二极管结构，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次分布DBR反 |
| 27 | CN104377219B | 一种高发光效率的高压发光二极管 | 2017.03.29 | 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级 |
| 28 | CN104167473B | 一种高晶体质量红外发光二极管的外延生长方法 | 2017.03.29 | 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、腐蚀 |
| 29 | CN104377288B | 一种具有电极出光的发光二极管制作方法 | 2017.03.29 | 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管制作方法：在外延衬底上外延形成外延发光结构，在外延发光结构上形 |
| 30 | CN104167474B | 一种高晶体质量红外发光二极管 | 2017.03.29 | 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层 |
| 31 | CN104409465B | 一种高发光效率的高压发光二极管制作方法 | 2017.02.22 | 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联 |
| 32 | CN103715324B | 一种发光二极管及其制造方法 | 2017.02.22 | 本发明公开一种新型结构的发光二极管，包括透明基板、外延片、第一电极和第二电极，所述外延片依次包括n型 |
| 33 | CN106449924A | 一种光热电分离的倒装LED芯片及其制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开一种光热电分离的倒装LED芯片，在衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成N‑GaN，在N‑GaN |
| 34 | CN106435508A | 一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法 | 2017.02.22 | 本发明公开一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法，包括以下步骤：一、样品台设置：提供一基底，将基底设置 |
| 35 | CN104332536B | 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法 | 2017.02.15 | 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层 |
| 36 | CN104167478B | 一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法 | 2017.02.15 | 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化 |
| 37 | CN106410006A | 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法 | 2017.02.15 | 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设 |
| 38 | CN104319330B | 一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法 | 2017.02.15 | 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，In<sub>x</ |
| 39 | CN104393136B | 一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法 | 2017.02.01 | 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故 |
| 40 | CN106328775A | 一种提高发光二极管外延良率的生长方法 | 2017.01.11 | 本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓 |
| 41 | CN106206865A | 一种高压发光二极管及其制作方法 | 2016.12.07 | 本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第 |
| 42 | CN106206894A | 一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管及其制作方法 | 2016.12.07 | 本发明公开的一种具有高阻值GaN电流阻挡层的发光二极管，由衬底、基础GaN外延层、高阻值GaN电流阻 |
| 43 | CN106169531A | 一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED | 2016.11.30 | 本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源 |
| 44 | CN205723600U | 一种增强注入型的发光二极管的外延结构 | 2016.11.23 | 本实用新型公开一种增强注入型的发光二极管的外延结构，在衬底上生长至少一层U/N‑GaN单晶薄膜，U/ |
| 45 | CN106129192A | 一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺 | 2016.11.16 | 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通 |
| 46 | CN106129214A | 一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层 |
| 47 | CN106098862A | 一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法 | 2016.11.09 | 本发明公开一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法，提供衬底，在衬底上由下至上依次外延缓冲层、非故意 |
| 48 | CN106098893A | 一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法 | 2016.11.09 | 一种简易ODR结构的倒装氮化镓基发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管生产技术领域。在采用DBR结构 |
| 49 | CN106098885A | 一种量子点白光发光二极管 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和 |
| 50 | CN106025793A | 一种具有二次谐振腔的半导体激光器 | 2016.10.12 | 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层 |
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